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氣化性含疏介質對電阻帶的作用過程

SHIJIAN:2017-08-19 08:54

氣化性含疏介質對電阻帶的作用過程
(1)  電阻帶在高溫〇2+so2介質中,首先發生氧化反應并 使原有氧化膜增厚。致密的保護性氧化膜如八12(\,&203可以阻 止SO,向合金內部滲透<
(2)  二氧化硫通過氧化膜缺陷處進入內部,同鐵1鎳形成氧 化物和硫化物。當溫度至8C0C時將發生以下硫化反應&
7 Fe + 3SO£ = 2Fe2()3 + 3FeS        (4-15)
7Ni 小 2S02 = 4Ni0+Ni3S2              (4-16)
反應生成的硫化物的熔點很低<FeS 1180C,Ni,S2806U)。根 據CrO-S和A1-0-S系平衡圖,在工業條件下鉻和鋁不會發生類 似(心15),(4-1S)的反應c
(3)硫化物與電熱合金中的鎳、鐵形成低熔點共晶(Ni-Ni3S645 C? Co-CoS 877 C, Fe-FeS 988 C)0
上述反應生成的低恪點硫化物和共晶,在高溫下對合金造成 嚴重的晶畀侵濁,破壞電阻帶件。

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